| Record ID | marc_records_scriblio_net/part20.dat:196382568:1083 |
| Source | Scriblio |
| Download Link | /show-records/marc_records_scriblio_net/part20.dat:196382568:1083?format=raw |
LEADER: 01083nam 2200277 a 4500
001 89142418
003 DLC
005 19891218094811.9
008 890516s1988 pl a b 00010 eng
010 $a 89142418
020 $czł28.00
040 $aDLC$cDLC$dDLC
041 0 $aeng$bpolrus
050 00 $aQC611.6.D4$bD33 1988
100 10 $aDąbrowski, Władysław R.
245 10 $aEffects of deep imperfection levels on the capacitance of semiconductor detectors =$bWpływ głębokich poziomów energetycznych na pojemność detektorów półprzewodnikowych /$cWładysław Dąbrowski, Kazimierz Korbel.
250 $aWyd. 1.
260 0 $aKraków :$bInstitute of Physics and Nuclear Techniques,$c1988.
300 $a29 p. :$bill. ;$c21 cm.
440 0 $aRaport INT,$x0302-9034 ;$v227/E
500 $aTitle also in Russian.
500 $aSummary in Polish and Russian.
504 $aIncludes bibliographical references.
650 0 $aSemiconductors$xDefects.
700 10 $aKorbel, Kazimierz.
740 01 $aWpływ głębokich poziomów energetycznych na pojemność detektorów półprzewodnikowych.